快科技6月16日音讯,ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,一起正在研讨更强壮的Hyper NA EUV光刻机,估计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也便是2埃米。
该系列估计到2025年能够量产2nm,再往后就得参加多重曝光,估计到2027年能完成1.4nm的量产。
它们将从2nm以下工艺起步,Intel首发便是14A 1.4nm,估计到2029年左右能过量产1nm,合作多重曝光能够在2033年前后做到0.5nm的量产,至少也能支撑到0.7nm。
接下来的Hyper NA光刻机估计将到达0.75乃至更高,2030年前后推出,对应产品命名为HXE系列。
ASML估计,Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm乃至更先进工艺的量产,但现在还不能彻底必定。
值得一提的是,单个硅原子的直径约为0.1nm,可是上边说到的这些工艺节点,并不是实在的晶体管物理尺度,仅仅一种等效说法,根据功能、能效特别的份额的提高。
比如说0.2nm工艺,实践的晶体管金属距离大约为16-12nm,之后将持续缩减到14-10nm。
Low/High/Hyper三种光刻时机一起运用单一的EUV渠道,很多的模块都会互相通用,然后大幅度的下降研制、制作、布置本钱。
不过,High NA光刻机的单台价格现已高达约3.5亿欧元,Hyper NA光刻机必定持续大幅提价,并且越发迫临物理极限,所以不管技能仍是本钱视点,Hyper NA之后该怎么走,谁的心里都没数。
微电子研讨中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就失望地表明:“没办法幻想只要0.2nm尺度的设备元件,只相当于两个原子宽度。或许到了某个时间,现有的光刻技能必定完结。”