【48812】可量产02nm工艺！ASML发布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了

　　快科技6月16日音讯，ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，一起正在研讨更强壮的Hyper NA EUV光刻机，估计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也便是2埃米。

　　该系列估计到2025年能够量产2nm，再往后就得参加多重曝光，估计到2027年能完成1.4nm的量产。

　　它们将从2nm以下工艺起步，Intel首发便是14A 1.4nm，估计到2029年左右能过量产1nm，合作多重曝光能够在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支撑到0.7nm。

　　接下来的Hyper NA光刻机估计将到达0.75乃至更高，2030年前后推出，对应产品命名为HXE系列。

　　ASML估计，Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm乃至更先进工艺的量产，但现在还不能彻底必定。

　　值得一提的是，单个硅原子的直径约为0.1nm，可是上边说到的这些工艺节点，并不是实在的晶体管物理尺度，仅仅一种等效说法，根据功能、能效特别的份额的提高。

　　比如说0.2nm工艺，实践的晶体管金属距离大约为16-12nm，之后将持续缩减到14-10nm。

　　Low/High/Hyper三种光刻时机一起运用单一的EUV渠道，很多的模块都会互相通用，然后大幅度的下降研制、制作、布置本钱。

　　不过，High NA光刻机的单台价格现已高达约3.5亿欧元，Hyper NA光刻机必定持续大幅提价，并且越发迫临物理极限，所以不管技能仍是本钱视点，Hyper NA之后该怎么走，谁的心里都没数。

　　微电子研讨中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就失望地表明：“没办法幻想只要0.2nm尺度的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时间，现有的光刻技能必定完结。”